Описание
Силовой транзистор на основе нитрида галлия с внутренней согласованностью
GaN транзистор HXN40006
Цены уточняйте у менеджера
Характеристики
| Частота, ГГц | 0.9-1.4 |
|---|---|
| Выходная мощность усилителя (дБм) | 56 |
| Усиление, дБ | 12 |
| Напряжение, В | 50 |