Описание
Силовой транзистор на основе нитрида галлия с внутренней согласованностью
GaN транзистор HXN40001
Цены уточняйте у менеджера
Характеристики
| Частота, ГГц | 0.9-1.2 |
|---|---|
| Выходная мощность усилителя (дБм) | 40 |
| Усиление, дБ | 14 |
| Напряжение, В | 32 |